irfp3205（irf3205中文资料）

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1、去百度文库，查看完整内容> 内容来自用户:hjfychen 国际整流器IR*先进的加工技术*极低的导通阻抗*动态的dv/dt等级*175°C运行温度*充分的雪崩等级IRF3205S/LHEXFET®PowerMOSFETThermalResistanceVDSS=55VRDS(on)=8.0mΩID=110ATO-262D2PakIRF3205L描述IRF3205S来自国际镇流器公司先进的HEXFETR功率金属氧化物半导体场效应晶体管，利用先进的处理技术达到每个硅片极低的导通阻抗。

2、这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上，使设计师能够非常高效，可靠的应用在各个方面。

3、D2Pak表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。

4、它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装下。

5、D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。

6、最大额定参数参数最大值单位ID@TC=25°C持续漏极电流，Vgs@10V110AID@TC=100°C持续漏极电流,Vgs@10V80AIDM脉冲漏极电流，390APD@TC=25°C功率消散200W线性额定降低因数1.3W/°CVGS门极电压±20VIAR雪崩电流62AEAR重复雪崩能量20mJdv/dt二极管恢复峰值电压变化率5.0V/nSTJ，TSTG工作节点温度和保存温度-55to+175°C焊接温度，在10秒内300（假设为1.6mm）°C热阻特性封装扭矩10lbf•in(1.1N•m)参数典型值最大值单位RθJC节点到外壳——0.75°C/WRθJA。

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